電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

                                電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
    一、  GB/T2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：
1 GB/T2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗a:低溫
2 GB/T2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗b:高溫
3 GB/T2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ca:恒定濕熱試驗方法
4 GB/T2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗db:交變濕熱試驗方法
5 GB/T2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法試驗ea和導(dǎo)則:沖擊
6 GB/T2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗eb和導(dǎo)則：碰撞
7 GB/T2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)
8 GB/T2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗ed:自由跌落
9 GB/T2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗cb:設(shè)備用恒定濕熱
10 GB/T2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗fc和導(dǎo)則:振動(正弦)
11 GB/T2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fd:寬頻帶隨機振動--一般要求
12 GB/T2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fda:寬頻帶隨機振動--高再現(xiàn)性
13 GB/T2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fdb:寬頻帶隨機振動中再現(xiàn)性
14 GB/T2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fdc:寬頻帶隨機振動低再現(xiàn)性
15 GB/T2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度
16 GB/T2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗j和導(dǎo)則:長霉
17 GB/T2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ka:鹽霧試驗方法
18 GB/T2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗--試驗kb:鹽霧,交變(nacl)
19 GB/T2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法
20 GB/T2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kd:接觸點和連接件的硫化氫試驗方法
21 GB/T2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗m:低氣壓試驗方法
22 GB/T2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗n:溫度變化
23 GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗試驗q:密封
24 GB/T2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗sa:模擬地面上的太陽輻射
25 GB/T2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/am:低溫/低氣壓綜合試驗
26 GB/T2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/bm:高溫/低氣壓綜合試驗
27 GB/T2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/amd:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗方法
28 GB/T2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗t:錫焊試驗方法
29 GB/T2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗u:引出端及整體安裝件強度
30 GB/T2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗xa和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
31 GB/T2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程傾斜和搖擺試驗方法
32 GB/T2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗方法
33 GB/T2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗kca:高濃度二氧化硫試驗方法
34 GB/T2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/ad:溫度/濕度組合循環(huán)試驗方法
35 GB/T2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/afc:散熱和非散熱試驗樣品的低溫/振動(正弦)綜合試驗方法
36 GB/T2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(正弦)綜合試驗方法
37 GB/T2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗l:砂塵試驗方法
38 GB/T2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗r:水試驗方法
39 GB/T2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ee:彈跳試驗方法
40 GB/T2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41 GB/T2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程風(fēng)壓試驗方法
42 GB/T2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗低溫/低氣壓/振動(正弦)綜合試驗方法
43 GB/T2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(ea)、碰撞(eb)、振動(fc和fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(ca)等動力學(xué)試驗中的安裝要求和導(dǎo)則
44 GB/T2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分:試驗方法試驗eg:撞擊彈簧錘
45 GB/T2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗z/abdm：氣候順序
46 GB/T2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗ef：撞擊擺錘
  47 GB/T2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fg:聲振
48 GB/T2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗ff:振動--時間歷程法
49 GB/T2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗fe:振動--正弦拍頻法
50 GB/T2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗
51 GB/T2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗ke:流動混合氣體腐蝕試驗